反激變換器_充電器同步整流芯片U7710支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)，同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式 (DCM) 和準(zhǔn)諧振工作模式 (QR)，同步整流芯片U7710是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率 MOSFET 以提升系統(tǒng)效率。同步整流芯片U7710 內(nèi)部集成有 VDD 欠壓保護(hù)功能和 VDD電壓鉗位，內(nèi)置 VDD 高壓供電模塊，無需 VDD 輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。

同步整流芯片U7710穩(wěn)壓器在原邊 MOSFET 導(dǎo)通期間，IC 內(nèi)部 7.1V 穩(wěn)壓器將從其 Drain 管腳抽取電流向 VDD 供電，以使 VDD 電壓恒定在 7.1V 左右。基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為 1uF 的陶瓷電容作為 VDD 電容。

反激變換器_充電器同步整流芯片U7710特點：反激拓?fù)涓边呁秸鞴β书_關(guān)，支持“浮地”和“共地”同步整流兩種拓?fù)?，支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式 (DCM) 和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)，<300uA 超低靜態(tài)電流，內(nèi)置 VDD 高壓供電模塊，無需 VDD 輔助繞組供電，內(nèi)置 40V 功率 MOSFET。

同步整流芯片U7710系統(tǒng)啟動：同步整流芯片U7710系統(tǒng)開機(jī)以后，芯片內(nèi)部高壓 LDO 從 Drain 管腳抽取電流向 VDD 電容供電。當(dāng) VDD 電壓低于欠壓保護(hù)閾值后（3.1V 典型值），芯片進(jìn)入睡眠模式，同時內(nèi)部同步整流 MOSFET 進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流 MOSFET 的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。當(dāng) VDD 電壓高于 VDD 開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流 MOSFET 只在副邊續(xù)流期間才能開通。