- 04-29 2025
- SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來(lái)咯！ 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極 查看詳情
- 04-28 2025
- 氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護(hù)機(jī)制 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過(guò)集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過(guò)欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過(guò)DRAIN管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于Line BOP 保護(hù)閾值VBOP (典型值70Vac)時(shí)，芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為T(mén)BOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)Lin 查看詳情
- 04-27 2025
- 耐壓700V氮化鎵電源ic U8765散熱性能優(yōu)越 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源icU8765！ 當(dāng)?shù)夒娫磇cU8765結(jié)溫超過(guò)TSD (典型值150℃)時(shí)，芯片停止工作，進(jìn)入過(guò)熱保護(hù)。當(dāng)芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新啟動(dòng)。U8765封裝類型ESOP-10W，引腳分析如下： 1 HV P 高壓?jiǎn)?dòng)管腳 2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳 查看詳情
- 04-25 2025
- 20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。 氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管 查看詳情
- 04-24 2025
- 具有雙LDO供電配置的同步整流ic U7268 同步整流icU7268是一款高性能副邊同步整流控制器，當(dāng)配合外置MOS使用時(shí)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7268支持High Side和Low Side配置，且內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。U7268具有快速關(guān)斷功能，支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7268內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止斷續(xù)工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開(kāi)通。 PCB 設(shè)計(jì)對(duì)同步整流icU 查看詳情
- 04-24 2025
- 25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！ 氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(2 查看詳情
- 04-23 2025
- 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。在啟動(dòng)階段，U8766通過(guò)芯片HV腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON(典型值 12V)時(shí)，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)VDD低于3V時(shí)，高壓供電電路對(duì)VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以 查看詳情
- 04-22 2025
- 銀聯(lián)寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率（限12V最大輸出），集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處！ ▲U8733L Vds 耐壓650V，Rdson內(nèi)阻0.8R，ID電流2.5A，推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V，Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R，ID電流3.3A，推薦功率33W-45W ▲封裝 查看詳情
- 04-21 2025
- 700V/365mΩ高壓?jiǎn)?dòng)GaN快充芯片U8609 GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過(guò)調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。 GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8609通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束 查看詳情
- 04-18 2025
- 12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS 氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動(dòng)時(shí)，U8722BAS通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。 氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4，引腳名稱如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢 查看詳情
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