“芯片四方聯(lián)盟”是由美政府提議，與日、韓、臺灣地區(qū)組建的。其意圖十分明顯，要將中國大陸排除在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈之外。如果這個半導(dǎo)體壁壘建立起來，對我們將十分不利。芯片制造商深圳銀聯(lián)寶科技會密切關(guān)注，在開關(guān)電源芯片這塊領(lǐng)域繼續(xù)耕耘。

今天推薦的這款開關(guān)電源芯片U6113是一款內(nèi)部高度集成的降壓型準(zhǔn)諧振式（QR-Buck）LED 照明恒流驅(qū)動功率開關(guān)芯片。U6113 在同一晶元上集成了高壓功率 MOSFET 和控制器。此外，芯片還集成有高壓啟動電路和無需輔助繞組的電感電流過零檢測電路，利用此功能，系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下并且最大程度地簡化了系統(tǒng)的設(shè)計。

開關(guān)電源芯片U6113集成有完備的保護功能以保障系統(tǒng)安全可靠的運行，如 VDD 欠壓保護功能、逐周期電流限制、過熱保護、LED 開路和短路保護等。

開關(guān)電源芯片U6113主要應(yīng)用于LED 照明驅(qū)動，在 40V LED 輸出電壓下，175~265VAC：120mA、85~265VAC：100mA；在 60V LED 輸出電壓下，175~265VAC:100mA、85~265VAC：90mA。

開關(guān)電源芯片U6113極簡封裝TO-92，腳位如下：

1 Drain 內(nèi)部功率 MOSFET 漏極

2 CS 芯片地，也用作電感峰值電流控制腳

3 VDD 芯片電源供電

在開關(guān)電源芯片U6113芯片內(nèi)部，只要當(dāng)內(nèi)部高壓 MOSFET 關(guān)斷時，5.8V 的穩(wěn)壓器就會從芯片的 Drain 管腳端抽取一定的電流給 VDD 電容充電至 5.8V；再當(dāng)內(nèi)部高壓 MOSFET 導(dǎo)通的時候，5.8V 穩(wěn)壓器則停止工作而芯片靠 VDD 電容提供供電以正常運行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片 Drain 管腳抽取的電流足以使其連續(xù)穩(wěn)定地工作。通常情況下，建議使用 1uF 的 VDD 電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。