30W集成高壓E-GaN快充芯片U8722CAS
有了氮化鎵等新型材料的加持,近兩年很多品牌都上線了各種氮化鎵快充充電器。氮化鎵充電器不但可以提高設備的充電效率,而且在體積、散熱等方面也有十分不錯的表現(xiàn),加上技術的不斷完善和升級,氮化鎵充電器價格也不斷下探。30W氮化鎵快充芯片U8722CAS成本低、質量好,可以幫你緩解充電器成本焦慮。
30W氮化鎵快充芯片U8722CAS集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅動電路,驅動電壓為VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點,為此U8722CAS通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。如下圖所示,通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅動電流,進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度,系統(tǒng)設計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U8722CA系列還集成輕載SR應力優(yōu)化功能,在驅動電流配置為第一、第二、第三檔位時,當芯片工作于輕載模式時,將原邊開通速度減半,減小空載時SR的Vds應力過沖。
30W氮化鎵快充芯片U8722CAS采用峰值電流控制模式,可以自適應的工作在QR和降頻工作模式,從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下,系統(tǒng)工作在QR工作模式,可以大幅降低系統(tǒng)的開關損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù),同時為了避免系統(tǒng)在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數(shù)跳變,產(chǎn)生噪音,U8722CAS采用了谷底鎖定工作模式在負載一定的情況下,導通谷底數(shù)穩(wěn)定,系統(tǒng)無噪音。隨著負載的逐漸降低,系統(tǒng)導通的谷底個數(shù)逐漸增加,當谷底數(shù)超過6個時,不再檢測谷底電壓,系統(tǒng)進入降頻工作模式,通過進一步降低開關頻率,減小開關損耗,優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。
30W氮化鎵快充芯片U8722CAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。U8722CAS的工作頻率最高可達220kHz,可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能,可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路,非常適用于寬輸出電壓的應用場景!
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