氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！

當(dāng)氮化鎵電源ic U8765結(jié)溫超過(guò)TSD (典型值150℃)時(shí)，芯片停止工作，進(jìn)入過(guò)熱保護(hù)。當(dāng)芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新啟動(dòng)。U8765封裝類(lèi)型ESOP-10W，引腳分析如下：

1 HV P 高壓?jiǎn)?dòng)管腳

2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳

3 Source P GaN FET 源極引腳

4 GND P 芯片參考地

5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

7 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)

8 VDD P 芯片供電管腳

9 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

10 NC -

氮化鎵電源ic U8765主要特性：

* 集成高壓 E-GaN

* 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

* 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

* 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

* 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

* 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

* 集成 Boost 供電電路

* 集成完備的保護(hù)功能：VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)、輸入欠壓保護(hù) (BOP)、片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)、逐周期電流限制 (OCP)、異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)、短路保護(hù) (SCP)、過(guò)載保護(hù) (OLP)、過(guò)流保護(hù) (SOCP)、前沿消隱 (LEB)、CS 管腳開(kāi)路保護(hù)

氮化鎵電源ic U8765能夠有效散熱，提高產(chǎn)品的可靠性和長(zhǎng)壽命。U8765的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景！