開關(guān)電源芯片,肖特基二極管,銀聯(lián)寶,電源管理芯片,LED驅(qū)動(dòng)芯片,電源IC，適配器芯片

01-07 2025: 電源管理芯片U95113悄然占領(lǐng)電子細(xì)分市場(chǎng) 在女性消費(fèi)市場(chǎng)精耕細(xì)作、競(jìng)爭(zhēng)激烈的態(tài)勢(shì)下，男性消費(fèi)市場(chǎng)不啻于一座正待挖掘的金山。我國(guó)男性消費(fèi)在消費(fèi)種類、數(shù)量和品質(zhì)上都發(fā)生了不小的變化，并開始在細(xì)分市場(chǎng)上占據(jù)越來(lái)越多的話語(yǔ)權(quán)，男性消費(fèi)的藍(lán)海日漸形成。深圳銀聯(lián)寶科技今日主推的就是一款在男性消費(fèi)品中必不可少、應(yīng)用于剃須刀、電吹風(fēng)、理發(fā)器的5W電源管理芯片U95113！在芯片開始工作之前，電源管理芯片U95113僅消耗典型值為1.1uA的啟動(dòng)電流，超低啟動(dòng)電流可以幫助增加啟動(dòng)電阻阻值以達(dá)到降低待機(jī)功耗的目的。當(dāng)VDD電壓超過(guò)開啟查看詳情

01-06 2025: 帶恒功率、底部無(wú)PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列帶恒功率、底部無(wú)PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號(hào)分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內(nèi)阻1.0--1.2R。封裝類型ASOP-7-T4，具體腳位如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳 6 GND P 芯片參考地 7 DRAI 查看詳情

01-06 2025: 多模式12W電源芯片U6210響應(yīng)速度快電源芯片供應(yīng)商深圳銀聯(lián)寶科技，正在推動(dòng)創(chuàng)新精簡(jiǎn)設(shè)計(jì)，以滿足當(dāng)今最復(fù)雜的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求。12W電源芯片U6210是多模式、恒流恒壓原邊控制功率開關(guān)，以非?？斓乃俣软憫?yīng)電源負(fù)載的快速瞬態(tài)響應(yīng)，了解一下！ 12W電源芯片U6210是一款高性能原邊控制器，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用中。在恒壓輸出模式中，U6210 采用多模式工作方式，即調(diào)幅控制(AM)和調(diào)頻控制(FM)相結(jié)合，提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。在恒流輸出模式中，芯片采用調(diào)頻控制方式，查看詳情

01-03 2025: 電源管理芯片U92143穩(wěn)定適配各類電子設(shè)備隨著電源應(yīng)用日趨標(biāo)準(zhǔn)化，應(yīng)用電路越來(lái)越簡(jiǎn)單，選型也變得相對(duì)容易，各電源廠商已經(jīng)開始進(jìn)行器件和電路的整合來(lái)盡量降低成本，提高競(jìng)爭(zhēng)力。芯片的選擇也日趨明朗，好口碑、硬實(shí)力的芯片供應(yīng)商總是備受推崇。深圳銀聯(lián)寶科技繼續(xù)為大家推薦高性能恒流恒壓原邊控制功率電源管理芯片——U92143！為了滿足嚴(yán)苛的平均效率和待機(jī)功耗要求，電源管理芯片U92143采用了調(diào)幅控制（AM）和調(diào)頻控制（FM）結(jié)合的多模式控制技術(shù)。接近滿載輸出時(shí)，系統(tǒng)工作在調(diào)頻工作模式中；在輕重載條件查看詳情

01-03 2025: 內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率開關(guān)電源芯片U8621 超結(jié)功率MOSFET在高電壓開關(guān)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位，適用于需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的場(chǎng)合。超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，突破了傳統(tǒng)硅極限，超結(jié)MOSFET中的電荷平衡特性，能夠設(shè)計(jì)更薄、摻雜更多的區(qū)域，實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，提高效率。深圳銀聯(lián)寶內(nèi)置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS開關(guān)電源芯片U8621，在175V--264Vac推薦22.5W，85V-264Vac推薦18W，一起了解下！開關(guān)電源芯片U8621擁有自適應(yīng)工作模式，根據(jù)FB腳電查看詳情

01-02 2025: 手機(jī)充電器ic U6218開啟2025“芯”路程剛剛落下帷幕的2024年，國(guó)內(nèi)智能手機(jī)銷量和去年同期相比屬于大洗牌，國(guó)產(chǎn)手機(jī)依然抗打，占據(jù)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的絕大部分。在充電器相關(guān)配件銷量榜中，深圳銀聯(lián)寶科技的手機(jī)充電器ic排名穩(wěn)步向前，是芯片市場(chǎng)不容小覷的實(shí)力廠商。今天給大家介紹一下銀聯(lián)寶的手機(jī)充電器icU6218！手機(jī)充電器ic U6218集成了單點(diǎn)失效保護(hù)，包括FB上拉電阻開路保護(hù)、FB下拉電阻開路保護(hù)、FB下拉電阻短路保護(hù)、輸出二極管或者SR短路、RCS開路、變壓器繞組短路、IC GND管腳開路等保護(hù)。一旦故障發(fā)生，芯片查看詳情

01-02 2025: 原邊恒流開關(guān)電源芯片U7575功率損耗小開關(guān)電源的工作原理是利用開關(guān)管開關(guān)周期性地切換電路，控制輸出的電壓或電流。一次開關(guān)周期包括開關(guān)管的導(dǎo)通和截止兩個(gè)階段。在連續(xù)模式下，開關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間會(huì)盡可能長(zhǎng)，使得輸出電壓始終保持在穩(wěn)定值，而在斷續(xù)模式下，開關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間和截止時(shí)間會(huì)按照一定的時(shí)間比例進(jìn)行切換。相比于傳統(tǒng)的工作在斷續(xù)模式下的恒流控制的反激電路，開關(guān)電源芯片U7575采用了一種更加通用的原邊恒流控制技術(shù)，可以同時(shí)支持變壓器在斷續(xù)模式和連續(xù)模式下工作。下圖分別為反激電路工作在斷續(xù)模式和連續(xù)模式下的關(guān)鍵波形。查看詳情

12-31 2024: 6W電源管理芯片U95123品控好能效高自行車燈的選擇變得日益重要，關(guān)乎騎行安全，所以，為車車裝置車燈是不可缺少的重要外設(shè)。騎行燈有筒燈、杯燈、座燈等多個(gè)選擇，品控有劣有優(yōu)，但眾多騎行燈廠商在選擇電源管理芯片時(shí)，都不約而同的看中了這款6W電源管理芯片U95123。在原邊控制技術(shù)中，當(dāng)原邊向副邊傳輸能量時(shí)，通過(guò)采樣與副邊繞組耦合的輔助繞組電壓，得到輸出電壓反饋信號(hào)。6W電源管理芯片U95123內(nèi)部的電壓采樣、消磁檢測(cè)和諧振谷底觸發(fā)的關(guān)鍵波形。當(dāng)恒壓采樣過(guò)程結(jié)束時(shí)，內(nèi)部的采樣保持模塊記錄下反饋誤差并通過(guò)內(nèi)部的誤差運(yùn)算查看詳情

12-31 2024: 45W氮化鎵電源IC U8722EE整體功耗更低氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導(dǎo)率更高，同時(shí)，氮化鎵芯片還具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，整體的功耗更低。在一些對(duì)功耗要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景中，進(jìn)一步彰顯了它在性能方面的優(yōu)越性。深圳銀聯(lián)寶科技自推出氮化鎵電源IC U8722X系列以來(lái)，用量急速上升，市場(chǎng)需求旺盛。今天特地給小伙伴們介紹在U8722X系列中功率最大，推薦輸出功率45W的氮化鎵電源ICU8722EE！氮化鎵電源ICU8722EE的封裝采用ESOP-7，腳位與之前常見的U8722AH腳位略有不同，具體如下： 1 查看詳情

12-30 2024: 集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能的電源管理芯片U8733 驅(qū)動(dòng)電流分檔功能是指通過(guò)配置不同的分壓電阻值來(lái)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流的檔位，從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中，如電源管理芯片U8733，集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能，采用此芯片，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以根據(jù)具體需求選擇最優(yōu)的工作模式，減少電磁干擾（EMI），同時(shí)優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。電源管理芯片U8733集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV 查看詳情