最近幾年，功率MOSFET的性能得到了顯著提高，而這類器件的價(jià)格降低很快。由于MOSFET的開態(tài)電阻變得很低，在許多低輸出電壓應(yīng)用電路里都利用了同步整流技術(shù)。同步整流芯片U7710 &U7711就是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。

同步整流芯片U7710 &U7711 支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM) 和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。芯片集成有VDD 欠壓保護(hù)功能和VDD電壓鉗位。芯片內(nèi)置VDD 高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，減低了系統(tǒng)成本。

在原邊MOSFET導(dǎo)通期間，同步整流芯片U7710 &U7711內(nèi)部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD 供電，以使VDD 電壓恒定在7.1V左右。基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。

系統(tǒng)開機(jī)以后，同步整流芯片U7710 &U7711內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值后（3.1V 典型值），芯片進(jìn)入睡眠模式，同時(shí)內(nèi)部同步整流MOSFET進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓高于VDD開啟電壓后（4V典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。

在內(nèi)部同步整流 MOSFET 開通瞬間，同步整流芯片U7710 &U7711漏-源(Drain-Source)之間會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動(dòng)作，芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路(LEB)。在LEB時(shí)間（約1us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時(shí)間結(jié)束。

同步整流電源能夠在很大程度上降低功耗和提高效率。在相同的機(jī)架內(nèi)，先進(jìn)的同步整流電源的功率是傳統(tǒng)非同步電源功率的兩倍。深圳銀聯(lián)寶科技的同步整流芯片U7710 &U7711能夠極大地幫助瞬態(tài)負(fù)載調(diào)節(jié)，擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性！