寬電壓范圍是指設(shè)備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內(nèi)正常工作的能力。這意味著，當電網(wǎng)電壓或供電電壓在一定范圍內(nèi)波動時，具備寬電壓范圍的設(shè)備仍能保持穩(wěn)定運行，不會因電壓的波動而損壞或影響性能。這種特性對于保障設(shè)備的持續(xù)、穩(wěn)定工作至關(guān)重要！

針對寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ic U8722AH集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boost電路啟動工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V)，當輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。

氮化鎵電源ic U8722AH采用SOP-7封裝，腳位如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

4 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

5 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

氮化鎵電源ic U8722AH主要特性：

1. 集成700V E-GaN

2. 集成高壓啟動功能

3. 超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW

4. 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

5. 集成EMI優(yōu)化技術(shù)

6. 驅(qū)動電流分檔配置

7. 集成 Boost 供電電路

8. 集成完備的保護功能：VDD 過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、片內(nèi)過熱保護(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、短路保護(SCP)、過載保護 (OLP)、過流保護(SOCP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護。

氮化鎵電源ic U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。

穩(wěn)定的電壓是保障電子設(shè)備正常工作的基礎(chǔ)。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源ic U8722AH，集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗，提供穩(wěn)定的電壓輸出，降低電子設(shè)備受電壓波動的影響。