市場上占據(jù)優(yōu)勢的快充電源方案TB3865
快充技術(shù)是一大問題。各品牌手機(jī)各有各的協(xié)議，相互沖突。這使充電器、移動(dòng)電源和車充廠家不知所措。從電源管理的角度講，各公司產(chǎn)品在效率、溫度上都有很大差異。快充技術(shù)跟不上手機(jī)需求——效率低、溫度高，并且可靠性很差。另外，電源系統(tǒng)也變得越來越復(fù)雜，接口有很多種，并且繼續(xù)更新。這時(shí)候選擇一款具有優(yōu)勢的快充電源方案TB3865很重要。
快充電源方案TB3865是一款高度集成的電流模式PWM控制驅(qū)動(dòng),內(nèi)置高壓MOS,適合應(yīng)用于高性能、低待機(jī)功耗，低成本,離線AC-DC反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
該芯片提供完善的各種保護(hù)以及自恢復(fù)功能，包括逐周期電流限制（OCP）,過載保護(hù)(OLP),VDD電壓鉗位和低電壓鎖定(UVLO)。電路具有抖頻功能以及軟開關(guān)技術(shù)，保證了的EMI性能，了低于20KHz的音頻噪聲。
快充電源方案TB3865采用了“效率平衡”處理，減少輕載時(shí)高低壓輸入時(shí)效率差異，實(shí)現(xiàn)了高低壓效率均衡。并且“效率平衡”相當(dāng)于設(shè)定了不同負(fù)載在降頻曲線的相對位置，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了全負(fù)載范圍內(nèi)效率均衡。
快充電源方案TB3865的特點(diǎn)：
1）頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
2）副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動(dòng)電流
3）管腳浮空保護(hù)
4）內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
5）逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
快充電源方案TB3865是一款高度集成的電流模式PWM控制驅(qū)動(dòng),內(nèi)置高壓MOS,適合應(yīng)用于高性能、低待機(jī)功耗，低成本,離線AC-DC反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
該芯片提供完善的各種保護(hù)以及自恢復(fù)功能，包括逐周期電流限制（OCP）,過載保護(hù)(OLP),VDD電壓鉗位和低電壓鎖定(UVLO)。電路具有抖頻功能以及軟開關(guān)技術(shù)，保證了的EMI性能，了低于20KHz的音頻噪聲。
快充電源方案TB3865采用了“效率平衡”處理，減少輕載時(shí)高低壓輸入時(shí)效率差異，實(shí)現(xiàn)了高低壓效率均衡。并且“效率平衡”相當(dāng)于設(shè)定了不同負(fù)載在降頻曲線的相對位置，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了全負(fù)載范圍內(nèi)效率均衡。
快充電源方案TB3865的特點(diǎn)：
1）頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
2）副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動(dòng)電流
3）管腳浮空保護(hù)
4）內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
5）逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
6）大輸出功率65W
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