開關(guān)電源芯片TB8520
主要特點
●反 激拓撲副邊同步整流功率開關(guān)
.支持 “浮地”和“共地”同步整流兩種拓撲.支持斷續(xù)工作模式 (DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式
(QR)
● <300uA靜態(tài)電流
●售內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞
組供電
內(nèi)置45V功率MOSFET.內(nèi) 部集成保護:
:VVDD欠壓保護(UVLO)VDD電壓鉗位(>5mA鉗位電流)
封裝類型SOP-8
●反 激拓撲副邊同步整流功率開關(guān)
.支持 “浮地”和“共地”同步整流兩種拓撲.支持斷續(xù)工作模式 (DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式
(QR)
● <300uA靜態(tài)電流
●售內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞
組供電
內(nèi)置45V功率MOSFET.內(nèi) 部集成保護:
:VVDD欠壓保護(UVLO)VDD電壓鉗位(>5mA鉗位電流)
封裝類型SOP-8
開關(guān)電源芯片TB8520是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關(guān),內(nèi)置導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效。該芯片 支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu),同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。TB8520內(nèi)置VDD高壓供電模塊,無需VDD輔助繞阻供電,降低了系統(tǒng)成本。內(nèi)部集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗。內(nèi)置45V功率MOSFET。封裝采用 SOP-8。
開關(guān)電源芯片TB8520的管腳描述，GDN是參考地，同時也是內(nèi)部功率MOSFET的原極；VDD是供電腳，推薦使用1uF瓷片電容； Drain內(nèi)置功率MOSFET漏極。
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