隨著時(shí)代的進(jìn)步電源科技的發(fā)展越來越進(jìn)步，隨著開關(guān)電源技術(shù)的不斷發(fā)展,低電壓大電流降低功耗已成為電源工程師的難題,開關(guān)電源的損耗主要由功率開關(guān)管損耗、高頻變壓器損耗、輸出端整流管損耗三部分組成,開關(guān)電源同步整流芯片有利于降低電路的整體功率消耗，以滿足六級能效的需求。

開關(guān)電源同步整流芯片工作原理:同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET ,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)，它能有效提高變換器的轉(zhuǎn)換效率,并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓,并可利用其二次側(cè)的優(yōu)勢電源指標(biāo)

同步整流從拓?fù)浼軜?gòu)角度可分為High side和Low side兩大類,但從控制策略角度來看，同步整流可分為DCM模式和CCM模式,而CCM模式又以預(yù)測關(guān)斷和快速關(guān)斷為主導(dǎo)，銀聯(lián)寶科技的同步整流芯片電源芯片TB6812是一款六級能效，專利EMI優(yōu)化，高集成度高性價(jià)比的芯片。具有多模式控制，專利EMI優(yōu)化，高集成度高性價(jià)比。它優(yōu)化的動態(tài)控制是優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)能力，優(yōu)化的環(huán)路控制是工作穩(wěn)定，無異音，SR（同步整流）兼容性高。它的高度集成是線損補(bǔ)償技術(shù)，集成線電壓，電感恒流補(bǔ)償技術(shù)。該芯片有短路保護(hù)(SUP)\過載保護(hù)（OLP）\芯片過熱保護(hù)（OTP）\逐周期電流限制前沿消隱（LEB）\VDD過壓\欠壓保護(hù)。