電源芯片很小的體積內(nèi)部結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜,核心的微型單元就包含成千上萬個在溫度和惡劣環(huán)境下工作的晶體管,隨著電子技術(shù)的更新?lián)Q代,半導(dǎo)體的廣泛使用,使其對電子元器件的要求也越來越高，部分元器件在研發(fā)的時候就扼殺了在實(shí)驗(yàn)室,也有一部分死在了晶圓工廠，在使用過程中元器件也可能會因?yàn)槭褂貌划?dāng)、浪涌和靜電擊穿等原因而縮短壽命,芯片的死亡方式是多樣化的,通常有以下5種

1 死于芯片的設(shè)計

芯片的設(shè)計制造要經(jīng)過一一個非常復(fù)雜的過程，可大體分為三個階段:前端設(shè)計(邏輯代碼設(shè)計)、后端設(shè)計(布線過程)、投片生產(chǎn)(制芯、測試與封裝) , -顆高性能芯片在區(qū)區(qū)數(shù)百平方毫米的硅片上蝕刻數(shù)十億晶體管，晶體管間的間隔只有幾十納米，需要經(jīng)過幾百道不同工藝加工,一些芯片的失敗 ，很大部分原因是因?yàn)樗麄兊脑O(shè)計過程更加特殊,舊方法不再適用于新的技術(shù)。

2死于芯片的制造

近年來,隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步, 芯片工藝水平也得到逐步提高,較小的工藝制程能夠在同樣大小的硅片上容納更多數(shù)量的芯片,可以增加芯片的運(yùn)算效率;也使得芯片功耗更小。但是, 半導(dǎo)體器件的制造涉及到測量僅幾納米的結(jié)構(gòu),芯片尺寸的縮小也有其物理限制,摩爾定律正在逐漸失效, -粒塵?？梢源輾ЬA片上的幾個裸片,如果裸片的尺寸變大,隨機(jī)失效的可能性就會增加。

3死于芯片ESD保護(hù)

通常,殺死芯片有多種方法,芯片會包含ESD保護(hù),如果給芯片外部施加. 5V電壓,那么在1nm的介質(zhì)上產(chǎn)生0.5mV / m的電場,這足以導(dǎo)致高壓電弧。對于封裝內(nèi)的單個裸片，他們的目標(biāo)是2kJ這樣的標(biāo)準(zhǔn)。如果你試圖小化ESD ,甚在這些Wide 1/ O接口或任何類型的多芯片接口通道上它,這意味若你無法按照你針對單芯片的相同標(biāo)準(zhǔn)對每個芯片進(jìn)行真正的測試。它們經(jīng)過更的測試,因?yàn)樗鼈兊腅SD保護(hù)很小，或者可能沒有ESD保護(hù),即使在運(yùn)行期間, ESD事件也可能導(dǎo)致問題。

4死于磁場對半導(dǎo)體影響

隨著智能手機(jī)、平板電腦終端的多功能化 ,其所需要的電源電壓也涉及多種規(guī)格,因此電源電路用電感器的使用數(shù)量呈現(xiàn)增加趨勢。電磁敏感性( EMS )是人們不得不擔(dān)心的問題,電磁干擾(EMI)是芯片向環(huán)境發(fā)出的噪聲,噪聲源來自有源電路，它會在電源/地線和信號線上產(chǎn)生電流,電源線地線將通過封裝到PCB。如果它看到封裝或PCB.上有天線結(jié)構(gòu), 就會引起空氣輻射,然后通過天線結(jié)構(gòu)輻射到環(huán)境中產(chǎn)生干擾，注入測試是從150kH2開始注入1W，-直到1GHZ。在每個頻率,你會向系統(tǒng)注入1W的。如果你沒有足夠的保護(hù),就會破壞沿路徑進(jìn)入芯片的電路,或者引腳上的電壓可能過高如果電壓太高,就會產(chǎn)生過電應(yīng)變,

5死于芯片的操作

在很多情況下,糟糕的熱設(shè)計并不會導(dǎo)致瞬間災(zāi)難性的故障,甚不會導(dǎo)致產(chǎn)品平庸 ,但器件壽命會變短，電源企業(yè)在眾多環(huán)節(jié)上做投資,越來越多的半導(dǎo)體生產(chǎn)商都采用嵌入式電源來降低產(chǎn)品成本,也使得功率越來越高,功率越高也隨之造成了電子元器件的發(fā)熱,芯片發(fā)熱帶來的問題不僅僅是手機(jī)在口袋里變熱。它會導(dǎo)致晶體管和它們之間的連接退化。這可能會影響性能和可靠性。