IGBT驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)IGBT并對(duì)其整體性能進(jìn)行調(diào)控的裝置，它不僅影響了IGBT的動(dòng)態(tài)性能，同時(shí)也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致IGBT和驅(qū)動(dòng)器損壞。電源芯片U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有0.3A拉電流和1A灌電流能力，專用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFETS或IGBTS。

電源芯片U5402采用SOP-8封裝，引腳如下：

1 VDD 輸入邏輯和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的電源，用一個(gè)0.1μF或更大值的MLCC連接COM。

2 HIN 高側(cè)驅(qū)動(dòng)的邏輯輸入，內(nèi)部200kΩ下拉電阻，若HIN無偏置或浮空，HO保持低電平輸出。

3 LIN 低側(cè)驅(qū)動(dòng)的邏輯輸入，內(nèi)部200kΩ下拉電阻，若LIN無偏置或浮空，LO保持低電平輸出。

4 COM 參考地。

5 LO 低側(cè)驅(qū)動(dòng)輸出。

6 VS 高側(cè)浮動(dòng)電源偏置電壓。

7 HO 高側(cè)驅(qū)動(dòng)輸出。

8 HB 高側(cè)浮動(dòng)電源，連接一個(gè)合適的電容到VS。

電源芯片U5402采用必易微高壓器件工藝技術(shù)，具有良好的電流輸出及出色的抗瞬態(tài)干擾能力。U5402在開關(guān)節(jié)點(diǎn)VS瞬態(tài)-60V(100ns)情況下可保證系統(tǒng)正常工作。可支持100V/ns的dv/dt變化。

電源芯片U5402主要性能：

1. 開關(guān)節(jié)點(diǎn)耐壓高達(dá) 650V

2. 輸出拉電流 0.3A, 灌電流 1A

3. 開關(guān)節(jié)點(diǎn) dv/dt 能力可達(dá) 100V/ns

4. VS 負(fù)壓能力可達(dá) -60V(典型 100ns)

5. 為高低側(cè)電源提供獨(dú)立的 UVLO 保護(hù)

6. 短傳播延遲 (典型值 140ns)

7. 延遲匹配 (典型值 30ns)

8. 雙通道輸入，輸出互鎖

9. 兼容 3.3V、5V 和 15V 的輸入電壓邏輯

10. 施密特觸發(fā)器輸入

11. 封裝類型 SOP-8

電源芯片U5402常常被應(yīng)用在功率MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用/家電、照明/LED電源、感應(yīng)加熱、DC-AC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域，具有完善保護(hù)功能，包括：輸入浮空或輸入脈沖寬度不足時(shí)，輸出保持低電平。內(nèi)置互鎖和死區(qū)保護(hù)功能，可防止高低側(cè)驅(qū)動(dòng)同時(shí)打開，同時(shí)具有高側(cè)和低側(cè)UVLO保護(hù)，系統(tǒng)可靠性強(qiáng)。