氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開(kāi)通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開(kāi)關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過(guò)分壓電阻設(shè)置驅(qū)動(dòng)電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動(dòng)電流檔位可降低SR開(kāi)關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。

氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征：

▲ 集成 高壓 E-GaN

▲ 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

▲ 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

▲ 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

▲ 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

▲ 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

▲ 集成 Boost 供電電路

▲ 集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

過(guò)載保護(hù) (OLP)

過(guò)流保護(hù)（SOCP）

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開(kāi)路保護(hù)

▲ 封裝類型 ASOP7-T4

氮化鎵PD快充芯片U8722DAS還集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8722DAS通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。如圖所示，通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。