超精簡(jiǎn)的快充方案芯片TB6818
一、概述
快充電源方案TB6818是一顆電流模式PWM控制芯片，內(nèi)置 650V高壓功率MOSFET，應(yīng)用于功率在18W以?xún)?nèi)的方案。
在 PWM模式下工作于固定開(kāi)關(guān)頻率，這個(gè)頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時(shí)，工作頻率由IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來(lái)減小輕載時(shí)的損耗，提高整機(jī)的工作效率。
快充電源方案TB6818在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流，可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻，以此來(lái)進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補(bǔ)償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時(shí)，避免次諧波振蕩的發(fā)生，系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(shí)（Leading-edge blanking time），緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二極管反向恢復(fù)電流對(duì)電路的影響。
快充電源方案TB6818采用了抖頻技術(shù)，能夠有效系統(tǒng)的 EMI性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時(shí)可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。
快充電源方案TB6818內(nèi)置多種保護(hù)，包括逐周期限流保護(hù)（OCP），過(guò)載保護(hù)（OLP），過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP）， VDD 過(guò)壓箝位，欠壓保護(hù)（UVLO），過(guò)溫保護(hù)（OTP）等，通過(guò)內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的系統(tǒng)的EMI特性和開(kāi)關(guān)的軟啟動(dòng)控制。
二、特點(diǎn)
1.全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時(shí)待機(jī)功耗小于 100mW
2.內(nèi)置650V 高壓功率管
3.4ms軟啟動(dòng)用來(lái)減少M(fèi)OSFET 上Vds的應(yīng)力
4.抖頻功能，EMI性能
5.跳頻模式，輕載效率，減小待機(jī)功耗
6.無(wú)噪聲工作
7.固定65KHz開(kāi)關(guān)頻率
8.內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償
9.低啟動(dòng)電流，低工作電流
10.內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
11.過(guò)載保護(hù)（OLP），逐周期限流保護(hù)（OCP）
12.VDD 過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP），欠壓保護(hù)（UVLO），VDD電壓箝位，過(guò)溫保護(hù)（OTP）
快充電源方案TB6818是一顆電流模式PWM控制芯片，內(nèi)置 650V高壓功率MOSFET，應(yīng)用于功率在18W以?xún)?nèi)的方案。
在 PWM模式下工作于固定開(kāi)關(guān)頻率，這個(gè)頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時(shí)，工作頻率由IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來(lái)減小輕載時(shí)的損耗，提高整機(jī)的工作效率。
快充電源方案TB6818在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流，可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻，以此來(lái)進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補(bǔ)償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時(shí)，避免次諧波振蕩的發(fā)生，系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(shí)（Leading-edge blanking time），緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二極管反向恢復(fù)電流對(duì)電路的影響。
快充電源方案TB6818采用了抖頻技術(shù)，能夠有效系統(tǒng)的 EMI性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時(shí)可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。
快充電源方案TB6818內(nèi)置多種保護(hù)，包括逐周期限流保護(hù)（OCP），過(guò)載保護(hù)（OLP），過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP）， VDD 過(guò)壓箝位，欠壓保護(hù)（UVLO），過(guò)溫保護(hù)（OTP）等，通過(guò)內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的系統(tǒng)的EMI特性和開(kāi)關(guān)的軟啟動(dòng)控制。
二、特點(diǎn)
1.全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時(shí)待機(jī)功耗小于 100mW
2.內(nèi)置650V 高壓功率管
3.4ms軟啟動(dòng)用來(lái)減少M(fèi)OSFET 上Vds的應(yīng)力
4.抖頻功能，EMI性能
5.跳頻模式，輕載效率，減小待機(jī)功耗
6.無(wú)噪聲工作
7.固定65KHz開(kāi)關(guān)頻率
8.內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償
9.低啟動(dòng)電流，低工作電流
10.內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
11.過(guò)載保護(hù)（OLP），逐周期限流保護(hù)（OCP）
12.VDD 過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP），欠壓保護(hù)（UVLO），VDD電壓箝位，過(guò)溫保護(hù)（OTP）
13.SOP8無(wú)鉛封裝
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【責(zé)任編輯】：銀聯(lián)寶版權(quán)所有：http://www.westmont.com.cn轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處
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