高壓啟動是電源芯片在工作中啟動的一種方式，通常是在電源芯片啟動時加入一個高壓信號，使其能夠快速地進入正常工作狀態(tài)。45W電源芯片U8765集成了高壓啟動功能。如下圖所示，在啟動階段，U8765通過芯片HV腳對VDD充電，當VDD電壓達到VVDD_ON (典型值12V)時，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。

如下圖所示，在啟動過程中，當VDD低于3V時，高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值0.5mA)，小電流充電，可以降低VDD引腳對地短路時的45W電源芯片U8765功耗。當VDD電壓超過3V時，充電電流增加到IHV2 (典型值5mA)，以縮短啟動時間，隨VDD電壓升高，充電電流逐漸減小。當VDD電壓降到VVDD_REG (典型值9V)時，高壓供電電路再次開啟，以維持VDD電壓。但是，如果低鉗位供電狀態(tài)持續(xù)時間超過75ms，并且系統(tǒng)工作在非輕載模式時，芯片將觸發(fā)保護。當芯片觸發(fā)保護狀態(tài)時，系統(tǒng)停止打驅(qū)動，高壓供電電路開啟，維持VDD電壓在VVDD_REG_ST (典型值12V)。

45W電源芯片U8765集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設計難點，為此U8765通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U8765系列還集成輕載SR應力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。

45W電源芯片U8765是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗，典型應用于快速充電器和適配器等場景！