PD充電線內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本等特點(diǎn)，手機(jī)用戶可以更好地享受快速充電技術(shù)，方便快捷。深圳銀聯(lián)寶科技的非標(biāo)PD快充ic U6615S符合這一要求，推薦給小伙伴們！

非標(biāo)PD快充ic U6615S是一顆低待機(jī)功率、低功耗、低電磁兼容性和低成本的PD快充芯片。U6615S結(jié)合了一個(gè)專用的電流模式PWM帶4A/630V MOSFEET的模式控制器，適用于18W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。

非標(biāo)PD快充ic U6615S輸出規(guī)格為5W、9W、12W、18W，應(yīng)用于PD/QC市場(chǎng)，VDD-40V max18W，特征如下：

* 數(shù)字頻率洗牌技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)電磁干擾性能

* 固定65k HzPWM開關(guān)頻率

* 低待機(jī)功耗(<75米W@230Vac)

* 軟啟動(dòng)，以減少MOSFET VD S應(yīng)力

* 低啟動(dòng)電流(<10uA@VCC=12V)

* 集成 650V MOSFET

* ±4% 恒流、恒壓精度

*低待機(jī)功耗(<75米W@230Vac)

* 多模式原邊控制方式

* 工作無(wú)異音

* 優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響應(yīng)

* 可調(diào)式線損補(bǔ)償

* 集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償

* 集成完善的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD過(guò)壓保護(hù)(OVP)、逐周期限流保護(hù) (OCP)、短路保護(hù)(SLP)和VDD箝位等。

非標(biāo)PD快充ic U6615S采用SOP-8封裝，還可以替代凌拓微的18W非標(biāo)電源方案芯片LT3509，

引腳特征如下：

1 腳GND 芯片參考地。

2 腳VDD 芯片供電管腳。

3 腳FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時(shí)連接于光電耦合器相連，此腳位電壓決定了PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比和CS管腳的關(guān)斷電壓。

4 腳CS 電流采樣輸入管腳

5、6、7、8 腳D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。

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