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原邊15W開關電源芯片 SF5938S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置反饋腳(FB)短路保護
內置專利的線損補償,提高量產精度
內置快速動態(tài)響應控制
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關電源芯片 SF6773V
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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副邊50W開關電源芯片 SF5773
品牌：銀聯(lián)寶電子更多 +
型號：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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副邊15W開關電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
內置逐周期電流限制, 內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
OLP可編程
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10W系列5V2A能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內置反饋腳(FB)短路保護
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10W系列 5V2A能效六級方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置快速動態(tài)響應控制，無異音工作。
輸出過壓保護，VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內置600V 功率MOSFET
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12W系列 5V2.4A能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內置反饋腳(FB)短路保護
- [公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極
- 閱讀（4） 標簽：
- [公司新聞]具有雙LDO供電配置的同步整流ic U72682025年04月24日 14:29
- 同步整流icU7268是一款高性能副邊同步整流控制器，當配合外置MOS使用時，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7268支持High Side和Low Side配置，且內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。U7268具有快速關斷功能，支持斷續(xù)工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7268內部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止斷續(xù)工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開通。 PCB 設計對同步整流icU
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網(wǎng)絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！ 氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(2
- 閱讀（4） 標簽：
- [公司新聞]充電器ic U7576滿足快速啟動和低待機應用需求2025年04月17日 14:15
- 深圳銀聯(lián)寶充電器icU7576通過HV高壓引腳實時檢測交流輸入狀態(tài)，市電斷開時觸發(fā)內部放電邏輯，集成了輸出欠壓(BOP)與輸入掉電、X電容放電功能，解決了X電容放電電阻引起的待機損耗問題。采用SOP-8封裝，HV引腳集成650V VDMOS，提升了耐壓性能！ 充電器icU7576主要特點： 1.集成高壓啟動功能 2.集成 AC 輸入掉電檢測與X電容放電功能 3.可支持斷續(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術 4.±5%恒流精度；±1%恒壓精度 5.待機功
- 閱讀（4） 標簽：
- [公司新聞]電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調整率和負載調整率2025年04月17日 10:55
- 銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過實時監(jiān)測負載狀態(tài)，自動調節(jié)MOSFET的開關頻率，輕載或空載時降低頻率（如待機狀態(tài)），減少開關損耗，典型待機功耗可低于50mW；重載時提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！ ■高壓啟動電路和超低待機功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內置有一個500V高壓啟動單元。在開機過程中該啟動單元開始工作，從Drain端取電并通過高壓電流源對VDD電容進行充電，如“功能模塊”中所述。當VDD電壓上升至
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號 功率65W2025年04月10日 11:19
- 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS耐壓700V，采用ESOP-7，編帶盤裝，5000顆/卷，內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。 氮化鎵電源芯片U8722FE采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關損耗。芯片
- 閱讀（11） 標簽：
- [公司新聞]無需輔助繞組的電流過零檢測電源芯片U61132025年03月31日 10:48
- 無需輔助繞組的電流過零檢測技術，可省去輔助繞組和VDD電容，減少外圍元件數(shù)量，還能準諧振模式降低開關損耗，集成逐周期電流限制、VDD欠壓保護、過熱保護等多重安全機制?？偟膩碚f，可顯著簡化電路設計，同時滿足高精度、高可靠性的應用需求。銀聯(lián)寶電源芯片U6113具備此功能！ 為了保證系統(tǒng)工作在準諧振模式下，電源芯片U6113利用檢測流經(jīng)內部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實現(xiàn)電流過零點的檢測。當電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧
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- [公司新聞]電源ic U5402內置互鎖和死區(qū)保護功能 增強系統(tǒng)可靠性2025年03月28日 10:02
- 電源icU5402通過硬件電路實現(xiàn)雙通道輸入的信號互鎖，確保高低側驅動信號無法同時導通，避免功率器件（如MOSFET/IGBT）因直通電流導致短路損壞。U5402具有完善保護功能，包括：輸入浮空或輸入脈沖寬度不足時，輸出保持低電平。內置互鎖和死區(qū)保護功能，可防止高低側驅動同時打開，同時具有高側和低側 UVLO 保護，系統(tǒng)可靠性強。 電源icU5402典型應用： ▲功率 MOSFET / IGBT 驅動器 ▲電機驅動應用，家電 ▲照明, LED 電源 ▲感應加熱 ▲DC-AC
- 閱讀（5） 標簽：
- [公司新聞]“芯”產品開箱——12v1a充電器芯片U6203D2025年03月21日 14:55
- 華為手機新品Pura X，稱為全球首款闊折疊屏手機，折疊起來，就變成小手機，合上很小巧，正面和背面都有屏幕。它還能擴屏使用，橫過來用就像平板一樣體驗。這款新品為折疊屏手機的發(fā)展打開了新思路，或許會為未來的手機和手機配件市場注入新活力。深圳銀聯(lián)寶科技一如既往為各位小伙伴提供優(yōu)質高效的手機充電器芯片，誠意推薦這顆12v1a充電器芯片U6203D！ 12v1a充電器芯片U6203D是一款高度集成的電流模式PWM控制驅動，內置4A高壓MOS，適合應用于高性能、低待機功耗、低成本離線
- 閱讀（10） 標簽：
- [公司新聞]PD快充寬電壓應用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45
- 同步整流芯片在PD快充領域的應用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設計等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導阻MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管，顯著降低導通損耗，高集成度設計減少外圍元件需求，簡化了電路布局！ 在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關機狀態(tài)。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內部控制
- 閱讀（18） 標簽：
- [公司新聞]電源管理IC U8623采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果2025年03月13日 14:52
- 芯片在實現(xiàn)數(shù)據(jù)處理、存儲和傳輸?shù)裙δ艿倪^程中，會伴隨電阻、電容、電感等能量損耗，這些損耗會被轉化為熱能，因此會產生大量熱量。過高的溫度會影響電子設備工作性能，甚至導致電子設備損壞。今天推薦的電源管理ICU8623采用SOP-8封裝，并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果，從而提高了散熱效率，積極保護電子設備。 電源管理ICU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內置0.85Ω/650V的超結硅功率 MOS。U8623具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]實時評測皆好評的充電器芯片SF1538DP2025年03月03日 15:30
- 隨著消費者對手機攝影要求的不斷提高，傳感器尺寸的進一步增加成為廠商們探索的方向，對手機的內部空間提出了不小的挑戰(zhàn)。而手機充電器的內部空間，可以選擇深圳銀聯(lián)寶開發(fā)的充電器芯片，體積小效率高，讓總體設計更為靈活，或許是個不錯的解決方案。今天推薦的是SF1538DP！ 充電器芯片SF1538DP封裝形式DIP-8，內置高功率MOSFET管，耐壓650V；可編程外部過溫保護OTP，專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失??；內置4ms軟啟動，管腳浮空保
- 閱讀（8） 標簽：
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