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原邊25W開關(guān)電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊60W開關(guān)電源芯片 U6201
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動(dòng)電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
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原邊6W開關(guān)電源芯片 U6117S
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效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置短路保護(hù)
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原邊12W開關(guān)電源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜70mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
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原邊6W開關(guān)電源芯片 U6215
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效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
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副邊65W開關(guān)電源芯片 SF5533
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副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊18W開關(guān)電源芯片 SF5549H
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副邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
電流啟動(dòng)
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6022
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效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
±4％恒壓恒流精度，支持高50V 輸出電壓
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作，
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng),啟動(dòng)電流,管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過壓保護(hù)及鉗位
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原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5938S
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效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng),啟動(dòng)電流,管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關(guān)電源芯片 SF6773V
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效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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隔離36W開關(guān)電源芯片 SFL950
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提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
待機(jī)功耗(≤75mW)
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副邊50W開關(guān)電源芯片 SF5773
品牌：銀聯(lián)寶電子更多 +
型號(hào)：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
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副邊15W開關(guān)電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級(jí)能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
- [公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極
- 閱讀（4） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護(hù)機(jī)制2025年04月28日 14:25
- 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過DRAIN管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于Line BOP 保護(hù)閾值VBOP (典型值70Vac)時(shí)，芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)Lin
- 閱讀（5） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]耐壓700V氮化鎵電源ic U8765散熱性能優(yōu)越2025年04月27日 14:07
- 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源icU8765！ 當(dāng)?shù)夒娫磇cU8765結(jié)溫超過TSD (典型值150℃)時(shí)，芯片停止工作，進(jìn)入過熱保護(hù)。當(dāng)芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新啟動(dòng)。U8765封裝類型ESOP-10W，引腳分析如下： 1 HV P 高壓?jiǎn)?dòng)管腳 2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳
- 閱讀（5） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE2025年04月25日 14:31
- EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。 氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管
- 閱讀（5） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！ 氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(2
- 閱讀（4） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。在啟動(dòng)階段，U8766通過芯片HV腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON(典型值 12V)時(shí)，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動(dòng)過程中，當(dāng)VDD低于3V時(shí)，高壓供電電路對(duì)VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以
- 閱讀（7） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]銀聯(lián)寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析2025年04月22日 11:25
- 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率（限12V最大輸出），集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處！ ▲U8733L Vds 耐壓650V，Rdson內(nèi)阻0.8R，ID電流2.5A，推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V，Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R，ID電流3.3A，推薦功率33W-45W ▲封裝
- 閱讀（7） 標(biāo)簽：
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