- [公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來(lái)咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護(hù)機(jī)制2025年04月28日 14:25
- 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過(guò)集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過(guò)欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過(guò)DRAIN管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于Line BOP 保護(hù)閾值VBOP (典型值70Vac)時(shí)，芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為T(mén)BOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)Lin
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- [公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！ 氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(2
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- [公司新聞]700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。在啟動(dòng)階段，U8766通過(guò)芯片HV腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON(典型值 12V)時(shí)，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)VDD低于3V時(shí)，高壓供電電路對(duì)VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以
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- [公司新聞]700V/365mΩ高壓?jiǎn)?dòng)GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過(guò)調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。 GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8609通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束
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- [公司新聞]12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39
- 氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動(dòng)時(shí)，U8722BAS通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。 氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類(lèi)型 ASOP7-T4，引腳名稱如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢
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- [公司新聞]外置OTP自帶降功率氮化鎵快充芯片U87322025年04月01日 10:18
- 當(dāng)設(shè)備溫度超過(guò)設(shè)定閾值時(shí)，外置OTP功能會(huì)自動(dòng)觸發(fā)，降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備，以防止過(guò)熱，這對(duì)于保護(hù)設(shè)備內(nèi)部組件和延長(zhǎng)設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測(cè)到溫度升高時(shí)，設(shè)備會(huì)自動(dòng)降低功率輸出，以減少熱量產(chǎn)生，從而防止過(guò)熱。這種功能可以與OTP協(xié)同工作，提供雙重保護(hù)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！ 氮化鎵快充芯片U8732特點(diǎn)： 集成 700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高
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- [公司新聞]65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過(guò)同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動(dòng)和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢(shì)如破竹！ 氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的
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- [公司新聞]35W PD快充芯片U8724AHS寬幅電壓輸出超穩(wěn)的2025年02月19日 10:42
- 寬幅電源的輸出電壓范圍一般在85 ~ 265VAC的標(biāo)準(zhǔn)，而普通電源的輸出電壓范圍一般在180V-240V的標(biāo)準(zhǔn)。電源的寬幅越大，輸出電壓隨負(fù)載電流變化的程度就越小，輸出電壓就越穩(wěn)定。35W PD快充芯片U8724AHS內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。 35W PD快充芯片U8724AHS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)
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- [公司新聞]U860X氮化鎵快充芯片系列升級(jí)增加U8609料號(hào)2025年02月08日 14:43
- U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上，升級(jí)增加U8609料號(hào)，同時(shí)具備了輸入欠壓及軟入過(guò)壓保護(hù)功能，有需求的小伙伴趕緊看過(guò)來(lái)！ 氮化鎵快充芯片U860X是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開(kāi)關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U860X采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。U860X集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。
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- [公司新聞]PD快充芯片賽道優(yōu)質(zhì)選手——銀聯(lián)寶U88202024年12月20日 11:04
- 隨著智能手機(jī)與APP應(yīng)用的飛速發(fā)展，能明顯感覺(jué)到，續(xù)航越來(lái)越不夠用了。受限于電池技術(shù)短期內(nèi)難有大突破，另辟蹊徑的快速充電技術(shù)不僅逐漸成為了手機(jī)的標(biāo)配，更是在其最佳伴侶“移動(dòng)電源”上得到了應(yīng)用。PD快充芯片U8820是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能準(zhǔn)諧振電流模式PWM轉(zhuǎn)換芯片。芯片集成有高壓?jiǎn)?dòng)電路，可以獲得快速啟動(dòng)和超低待機(jī)的性能。芯片支持8-40V的VDD供電，方便滿足寬電壓輸出電源的要求！ PD快充芯片U8820封裝類(lèi)型SOP-7，引腳特征如下：
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- [公司新聞]PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢(shì)2024年12月19日 10:26
- 氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性，這意味著它可以在相對(duì)較小的尺寸上輸出更大的功率。在當(dāng)下眾多需要小型化且高功率輸出的場(chǎng)景中，其價(jià)值尤為凸顯。PD快充芯片U8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開(kāi)關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。 PD快充芯片U8608采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。它采用CS
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- [公司新聞]集成高壓?jiǎn)?dòng)電路氮化鎵快充芯片U8722AH2024年12月03日 14:07
- 采用氮化鎵技術(shù)的充電器，在相同體積和輸出功率下，溫度也會(huì)比硅基更低。氮化鎵技術(shù)可使功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)者達(dá)到更高的利用效率，節(jié)約了成本、節(jié)省了空間。這些優(yōu)異的材料特性，也是氮化鎵在充電器市場(chǎng)如此火爆的原因。深圳銀聯(lián)寶科技快充芯片U8722AH，是20W氮化鎵快充芯片首選方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW 的超低待機(jī)功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新聞]25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問(wèn)題2024年11月21日 14:32
- 提升芯片的工作頻率，無(wú)疑能夠加快設(shè)備的處理速度，提升用戶體驗(yàn)，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發(fā)熱量，還可能會(huì)對(duì)設(shè)備的穩(wěn)定性和壽命造成不良影響。因此，在設(shè)計(jì)芯片時(shí)，需要在提升工作頻率與降低功耗和發(fā)熱量之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。深圳銀聯(lián)寶科技的25W氮化鎵快充芯片U8723AH，推薦的RSEL電阻值在1kΩ，最高頻率限制220kHz；在2kΩ時(shí)，最高頻率限制130kHz，一起詳細(xì)了解下。 氮化鎵快充芯片U8723AH復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接詳見(jiàn)規(guī)格書(shū)。芯片啟動(dòng)
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- [公司新聞]PD快充芯片U8766滿足寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合需求2024年11月15日 15:03
- 具有寬輸入電壓和輸出電壓范圍的單電池充電器集成電路IC使得能夠在具有不同輸入適配器和電池配置的各種應(yīng)用中使用相同的充電器，從而幫助縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，還能獲得更優(yōu)化的充電體驗(yàn)。PD快充芯片U8766最高支持220kHz開(kāi)關(guān)頻率，適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。 針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U8766集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時(shí)
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- [公司新聞]PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗2024年10月31日 10:58
- GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒(méi)有穩(wěn)定時(shí)間，從而降低了死區(qū)損失，提高了效率。GaN的開(kāi)關(guān)頻率更高，電流紋波更低，這樣就可以減小無(wú)源器件的尺寸，從而實(shí)現(xiàn)更平滑的電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN設(shè)計(jì)。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。 ■集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能 PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mo
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- [公司新聞]小于30mW超低待機(jī)功耗氮化鎵快充芯片U87652024年10月29日 14:42
- 相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開(kāi)關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說(shuō)是決定待機(jī)功耗最重要的一環(huán)。氮化鎵快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。 氮化鎵快充芯片U8765主要特性： 集成高壓 E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖
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- [公司新聞]20W氮化鎵快充芯片首選方案——U8722AH2024年10月11日 14:47
- 采用氮化鎵技術(shù)的充電器，在相同體積和輸出功率下，溫度也會(huì)比硅基更低。氮化鎵技術(shù)可使功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)者達(dá)到更高的利用效率，節(jié)約了成本、節(jié)省了空間。這些優(yōu)異的材料特性，也是氮化鎵在充電器市場(chǎng)如此火爆的原因。深圳銀聯(lián)寶科技快充芯片U8722AH，是20W氮化鎵快充芯片首選方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW 的超低待機(jī)功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新聞]PD快充芯片U8724AH集成實(shí)現(xiàn)更高效的電源系統(tǒng)管理2024年09月26日 10:48
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話題。在許多應(yīng)用中，GaN能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式ACDC功率開(kāi)關(guān)PD快充芯片U8724AH，內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓快速充電器、適配器的應(yīng)用場(chǎng)景！ PD快充芯片U8724AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片采用準(zhǔn)諧振控制方式，最高支持220kHz開(kāi)關(guān)頻率，適
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- [公司新聞]30W集成高壓E-GaN快充芯片U8722CAS2024年09月18日 11:24
- 有了氮化鎵等新型材料的加持，近兩年很多品牌都上線了各種氮化鎵快充充電器。氮化鎵充電器不但可以提高設(shè)備的充電效率，而且在體積、散熱等方面也有十分不錯(cuò)的表現(xiàn)，加上技術(shù)的不斷完善和升級(jí)，氮化鎵充電器價(jià)格也不斷下探。30W氮化鎵快充芯片U8722CAS成本低、質(zhì)量好，可以幫你緩解充電器成本焦慮。 30W氮化鎵快充芯片U8722CAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值
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