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高集成度電動(dòng)車(chē)控制器電源芯片TB1211
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集成 650V 高壓?jiǎn)?dòng)電路
多模式控制、無(wú)異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出(FB 腳懸空)
待機(jī)功耗低于 50mW
良好的線(xiàn)性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
集成軟啟動(dòng)電路
內(nèi)部保護(hù)功能:
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高集成度電動(dòng)車(chē)控制器電源芯片TB1201
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集成 650V 高壓?jiǎn)?dòng)電路
多模式控制、無(wú)異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出(FB 腳懸空)
待機(jī)功耗低于 50mW
良好的線(xiàn)性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
集成軟啟動(dòng)電路
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PFC肖特基 PTR20V100CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFR2045CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 P15V50SP
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFR10L300CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFS10L60CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFS10L60
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTS5L100
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 P10V45SP
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTR20L80CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFS5A60
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFR20L200CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFR10L200CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTR30L80CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)
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PFC肖特基 PFR30L60CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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PFC肖特基 P5L45F-A
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快
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