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熱門關(guān)鍵詞： 電源ic PD協(xié)議芯片開關(guān)電源芯片電源管理芯片電源IC 充電器芯片適配器方案肖特基二極管 MOS管 MOS管 AP3401 SOT23

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: 原邊15W開關(guān)電源芯片U6118

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 TB3815

效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護(hù)
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: 原邊12W開關(guān)電源芯片 TB6812

效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
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: 副邊65W開關(guān)電源芯片 TB3865

恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
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: 副邊90W開關(guān)電源芯片TB3890

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: 原邊25W開關(guān)電源芯片 TB6825

原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 TB5806

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
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: 原邊12W開關(guān)電源芯片 TB5812

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
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: 副邊75W開關(guān)電源芯片U6101D

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: 副邊75W開關(guān)電源芯片U6101S

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: 原邊13W開關(guān)電源芯片 U6773S

效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
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: 開關(guān)電源芯片U6113

±3%LED恒流精度
恒流輸出值可調(diào)
1%線電壓補(bǔ)償精度
優(yōu)異地保護(hù)功能
過溫保護(hù)（OTP）
逐周期過流保護(hù)（OCP
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: 開關(guān)電源芯片U6112

內(nèi)置650V MOSFET。
LED開路/短路保護(hù)。
內(nèi)置線輸入電壓恒流補(bǔ)償。
工作電流，4%恒流精底。
內(nèi)置快速啟動電路，啟動電流，管腳浮空保護(hù)。
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: 原邊18W開關(guān)電源芯片 U6217S

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償，省去額外的補(bǔ)償或濾波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現(xiàn)輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF5877

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護(hù)（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護(hù)
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護(hù)
管腳浮空保護(hù)
啟動電流 <>br/內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊12W開關(guān)電源芯片 U6117D

效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF6772S

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置反饋腳（FB）電路保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,±5%恒壓恒流精度
自動補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1539HT

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護(hù)
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1539

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護(hù)
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1538

副邊反饋/內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護(hù)
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
更多 +

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