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: 高集成度電動(dòng)車控制器電源芯片TB1211

集成 650V 高壓啟動(dòng)電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出（FB 腳懸空）
待機(jī)功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
集成軟啟動(dòng)電路
內(nèi)部保護(hù)功能：
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: 高集成度電動(dòng)車控制器電源芯片TB1201

集成 650V 高壓啟動(dòng)電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出（FB 腳懸空）
待機(jī)功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
集成軟啟動(dòng)電路
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: PFC肖特基 PTR20V100CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PTR20100CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PTR20100CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PFR2045CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 P15V50SP

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PFR10L300CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PFS10L60CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PFS10L60

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PTS5L100

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 P10V45SP

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
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在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PTR20L80CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
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: PFC肖特基 PFS5A60

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
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: PFC肖特基 PFR20L200CT

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: PFC肖特基 PTR30L80CT

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: PFC肖特基 PFR10L200CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
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在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PTR30L80CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
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在較高的反向電壓下，開
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: PFC肖特基 PFR30L60CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 P5L45F-A

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
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