- [公司新聞]全負(fù)載高效率、低空載損耗的充電器芯片U86212024年11月26日 11:18
- 超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于其具有高耐壓和低電阻的特點(diǎn)。相較于普通高壓VDMOS，超結(jié)MOSFET的導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)小，適用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用。此外，超結(jié)MOSFET的額定電壓越高，導(dǎo)通電阻的下降越明顯，使其在中低功率水平下的高速運(yùn)行非常適合。充電器芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PW電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。 充電器芯片U8621主要功能如下： 1、系統(tǒng)啟動(dòng)和靜態(tài)電流 充電器芯片U8621的啟動(dòng)電流低至10uA，啟動(dòng)
- 閱讀（24） 標(biāo)簽：
相關(guān)搜索
熱點(diǎn)聚焦
銀聯(lián)寶--搶戰(zhàn)先機(jī)，穩(wěn)抓貨源
- 由于全球終端市場(chǎng)的嬗變...
電 話：133-1680-5165 Q Q：1957650001
傳 真：0755-23086550 郵 箱：001@elanpo.com
地址：廣東省深圳市寶安區(qū)寶安大道4018號(hào)華豐國際商務(wù)大廈2501-2508
銀聯(lián)寶手機(jī)
招賢納士
