芯片的智能開通檢測功能通常包含了開通階段、關(guān)斷階段、閾值檢測、前沿消隱、最小關(guān)斷時間等幾個關(guān)鍵部分。同步整流icU7613A內(nèi)部集成有智能開通檢測功能，可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通，提高了系統(tǒng)效率及可靠性。
PCB設(shè)計對同步整流的性能會產(chǎn)生顯著影響，同步整流icU7613設(shè)計同步整流電路時建議參考下圖的內(nèi)容。
1、副邊主功率回路 Loop1的面積盡可能小。
2、VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。
3、R1和C1構(gòu)成同步整流開關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路 Loop3 的面積可能小。
同步整流icU7613A電源系統(tǒng)設(shè)計需要保證最小續(xù)流時間Tdem_min大于LEB時間，否則會產(chǎn)生電流倒灌并有可能引起炸機。確保Tdem_min>120%*LEB，其中20%為設(shè)計裕量。最小續(xù)流時間的理論公式為：
其中，Vcs_min為原邊PWMIC過流保護最小閾值， Rcs為原邊采樣電阻，Lm為變壓器激磁電感感量， Vo_max為最大輸出電壓，VF為同步整流壓降(取0.2V)，Nps為變壓器匝比。
系統(tǒng)上測試最小續(xù)流時間Tdem_min的條件為：
a) 額定輸入電壓。
b) 最高輸出電壓。
c) 空載。
d) 如下圖所示，測試SR電流的最短持續(xù)時間。
在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON(典型值4.5V)之前，同步整流icU7613A處于關(guān)機狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開通。當(dāng)VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內(nèi)部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF(典型值 3.3V)后，芯片關(guān)機，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。