功率開關(guān)管的損耗、高頻變壓器的損耗、輸出端整流管的損耗是開關(guān)電源的主要損耗源。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出。同步整流技術(shù)就是大大減少了開關(guān)電源輸出端的整流損耗，從而提高轉(zhuǎn)換效率，降低電源本身發(fā)熱。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的同步整流icU7710SM，對于低壓大電流輸出很有幫助！
同步整流ic U7710SM是一種開關(guān)電源的同步整流電路，它集成了N通道MOSFET和驅(qū)動電路，用于DCM、QR的同步整流。同步整流能有效降低二次側(cè)整流的功耗，提供高性能的解決方案。U7710SM通過對MOSFETSW-to-GND電壓的檢測，可以用較少的外部元件輸出理想的驅(qū)動信號?？蔀?/span>5V輸出電壓應用提供高性能解決方案。
同步整流icU7710SM特性：
▲支持 DCM、QR 控制應用
▲集成同步整流 MOSFET
▲最大工作頻率 100kHz
▲30ns 的快速關(guān)斷總延時
▲兼容能源之星
▲50uA 的低靜態(tài)電流
▲SOP8 封裝
同步整流ic U7710SM支持在DCM和準諧振拓撲中運行。在DCM或準諧振拓撲中工作，控制電路以正向模式控制柵極，當MOSFET電流相當?shù)蜁r，控制電路將關(guān)閉柵極。當Vcc低于UVLO閾值時，部件處于休眠狀態(tài)，內(nèi)部N-MOS將被關(guān)閉。
同步整流icU7710SM引腳名稱：
1、2、3 GND 芯片地，內(nèi)置同步整流管源極。
4 VDD 芯片電源輸入。
5、6、7、8 SW 內(nèi)置同步整流管漏極。
當同步MOSFET導電時，電流將流過它的體二極管，在體二極管上產(chǎn)生一個負的Vds。因為這個體二極管的電壓降比控制電路(-200mV)的打開閾值要小得多，而控制電路(-200mV)隨后會打開N-MOS。當Vds升高觸發(fā)關(guān)斷閾值(-20mV)時，控制電路將N-MOS門電壓在延時約30nS后拉低，同步N-MOS關(guān)斷后加1.7uS消隱時間，避免因振鈴引起誤觸發(fā)。同步整流icU7710SM控制電路包含消隱功能。當關(guān)斷MOSFET時，確保關(guān)斷狀態(tài)至少持續(xù)約1.7us左右，使得效率大大提高！