銀聯(lián)寶開關(guān)電源芯片TB8521與KP4111實(shí)力相當(dāng)，可替換
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前，開關(guān)電源以小型、輕量和率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備，是當(dāng)今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。銀聯(lián)寶科技作為一家開關(guān)電源芯片公司，該芯片質(zhì)量價格是您開關(guān)電源芯片很好的選擇。
銀聯(lián)寶同步整流芯片TB8521與KP4111實(shí)力相當(dāng)，同時他們腳位兼容，可相互替換。開關(guān)電源芯片TB8521是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關(guān),內(nèi)置導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效。該芯片 支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu),同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。TB8521內(nèi)置VDD高壓供電模塊,無需VDD輔助繞阻供電,降低了系統(tǒng)成本。內(nèi)部集成有VDD欠壓保護(hù)功能和VDD電壓鉗。內(nèi)置45V功率MOSFET。
同步整流芯片TB8521的封裝采用 SOP-8，GDN是參考地，同時也是內(nèi)部功率MOSFET的原極；VDD是供電腳，推薦使用1uF瓷片電容； Drain內(nèi)置功率MOSFET漏極。
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