電子技術(shù)的發(fā)展過(guò)程中，電源管理芯片制造過(guò)程一般包括電源芯片設(shè)計(jì)、 晶片制作、封裝制作、測(cè)試等幾個(gè)環(huán)節(jié),其中晶片制作過(guò)程尤為的復(fù)雜,首先是集成電路芯片設(shè)計(jì),根據(jù)設(shè)計(jì)的需求,生成的“圖樣”。
開(kāi)關(guān)電源管理芯片的原料晶圓:晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來(lái)的,晶圓便是硅元素加以純化電源管理芯片的原料晶圓:晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來(lái)的,晶圓便是硅元素加以純化片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄,生產(chǎn)的成本越低,但對(duì)工藝就要求的越高。
晶圓涂膜:晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的- -種。
晶圓光刻顯影、蝕刻:該過(guò)程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì),即遇紫外光則變軟。通過(guò)控制遮光物的位置可以得到遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑,使得其遇紫外光就會(huì)溶解。這時(shí)可以用上份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物
摻加雜質(zhì):將晶圓中植入離子,生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體，具體工藝是是從硅片上暴露的區(qū)域開(kāi)始,放入化學(xué)離子混臺(tái)液中。這一工藝將改變攙雜區(qū)的導(dǎo)電方式,使每個(gè)晶體管可以通、斷、或攜帶數(shù)據(jù)。簡(jiǎn)單的芯片可以只用一-層,但復(fù)雜的芯片通常有很多層,這時(shí)候?qū)⑦@程不斷的重復(fù) ，不同層可通過(guò)開(kāi)啟窗口聯(lián)接起來(lái)。這一點(diǎn)類似多層PCB板的制作原理。更為復(fù) 雜的芯片可能需要多個(gè)二氧化硅層,這時(shí)候通過(guò)重復(fù)光刻以及上面流程來(lái)實(shí)現(xiàn),形成一個(gè)立體的結(jié)構(gòu)。
晶圓測(cè)試:經(jīng)過(guò)上面的幾道工藝之后,晶圓上就形成了一一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過(guò)針測(cè)的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測(cè)。一般每 個(gè)芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的,組織- -次針測(cè)試模式是非常復(fù)雜的過(guò)程,這要求了在生產(chǎn)的時(shí)候盡量是同等芯片規(guī)格構(gòu)造的型號(hào)的大批量的生產(chǎn)。數(shù)量越大相對(duì)成本就會(huì)越低,這也是為什么主流芯片器件造價(jià)低的-一個(gè)因素。
封裝:將制造完成晶圓固定,綁定引腳,按照需求去制作成各種不同的封裝形式,這就是同種芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式的原因。比如: DIP、QFP、 PLCC、QFN等等。這里主要是由用戶的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場(chǎng)形式等外圍因素來(lái)決定的。
測(cè)試、包裝:經(jīng)過(guò)上述工藝流程以后,電源芯片制作就已經(jīng)全部完成了, 這一步驟是將開(kāi)關(guān)電源管理芯片進(jìn)行測(cè)試、剔除不良品,以及包裝。
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