TB6812是一款恒壓、恒流的原邊反饋控制芯片，內(nèi)置650V的功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于小功率離線式充電器。
TB6812 采用調(diào)幅控制和調(diào)頻控制相結(jié)合，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。恒流流輸出模式中，芯片采用調(diào)頻控制方式，同時(shí)集成了線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償。采用TB6812可以工作無異音，同時(shí)保證優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能;采用特有的輸出線損補(bǔ)償技術(shù)，可以有效的補(bǔ)償輸出電流在輸出線上的損耗壓降。TB6812具有多重保護(hù)功能，包括開路保護(hù)，VDD過壓/欠壓/鉗位保護(hù)，短路保護(hù)、芯片過溫保護(hù)等功能。
TB6812是銀聯(lián)寶新一代的恒壓、恒流控制芯片，優(yōu)化了動(dòng)態(tài)響應(yīng)和驅(qū)動(dòng)等性。
TB6812 典型系統(tǒng)原理圖/ PCB DEMO樣品圖如下：
5V 2.4A 測(cè)試數(shù)據(jù)：
待機(jī)功耗測(cè)試
平均效率測(cè)試
溫升測(cè)試
