同步整流芯片U7612內部集成有智能開通檢測功能，可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關誤開通，提高了系統(tǒng)效率及可靠性，是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率！
▲IC 的啟動和關機
在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7612處于關機狀態(tài)。內部Gate 智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到 VDD_ON之后，芯片啟動，內部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.3V)后，芯片關機，副邊繞組電流Is經(jīng)內置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。
▲開通階段
變壓器副邊續(xù)流階段開始時，同步整流內置MOSFET的溝道處于關閉狀態(tài)，副邊電流Is經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。當負向Vds電壓小于同步整流芯片U7612內置MOSFET開啟檢測閾值Vth_on (典型值-140mV)，經(jīng)過開通延遲Td_on(典型值20ns)，內置MOSFET的溝道開通。
▲關斷階段
在同步整流內置MOSFET導通期間，同步整流芯片U7612采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值Vth_off (典型值0mV)，經(jīng)過關斷延遲Td_off (典型值 15ns)，內置MOSFET的溝道關斷。
▲前沿消隱 (LEB)
在內置MOSFET開通瞬間，同步整流芯片U7612漏-源(Drain- Source)之間會產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導致芯片誤關斷，芯片內部集成有前沿消隱電路(LEB)。在內置MOSFET導通后的一段時間內(TLEB，典型值1.3us) ，關斷比較器被屏蔽，無法關斷同步整流MOSFET，消隱時間結束后芯片再正常檢測關斷條件。
▲最小關斷時間
在內置MOSFET關斷瞬間，同步整流芯片U7612漏-源(Drain- Source)之間會產(chǎn)生電壓振蕩。為避免此類電壓振蕩干擾系統(tǒng)正常工作導致芯片誤開通，芯片內部設置了最小關斷時間(Toff_min，典型值 600ns)。在Toff_min內，開通比較器被屏蔽，無法開通同步整流MOSFET，Toff_min結束后芯片再開始檢測開通條件。