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同步整流ic U7710SG有效降低二次側整流功耗

2024-05-28 10:25:26 

隨著開關電源的工作頻率增加,以及隨著同步整流控制器對控制閾值精度以及響應速度要求的不斷提高,開關損耗更低、高頻特性更好的第三代化合物半導體同步整流將是更好的方案。深圳銀聯(lián)寶科技的同步整流icU7710SG能有效降低二次側整流的功耗,提供高性能的解決方案。

U7710SG

同步整流icU7710SG是一種開關電源的同步整流電路,它集成了N通道MOSFET和驅(qū)動電路,用于DCM、QR的同步整流。U7710SG通過對MOSFETSW-to-GND電壓的檢測,可以用較少的外部元件輸出理想的驅(qū)動信號。可為 5V輸出電壓應用提供高性能解決方案。其特性如下:

支持 DCM、QR 控制應用

集成同步整流 MOSFET

最大工作頻率 100kHz

30ns 的快速關斷總延時

兼容能源之星

50uA 的低靜態(tài)電流

SOP8 封裝

同步整流icU7710SG支持在DCM和準諧振拓撲中運行。在DCM或準諧振拓撲中工作,控制電路以正向模式控制柵極,當MOSFET電流相當?shù)蜁r,控制電路將關閉柵極。當Vcc低于UVLO閾值時,部件處于休眠狀態(tài),內(nèi)部N-MOS將被關閉。腳位名稱如下:

1、23 GND 芯片地,內(nèi)置同步整流管源極

4 VDD 芯片電源輸入

5、6、7、8 SW 內(nèi)置同步整流管漏極

當同步MOSFET導電時,電流將流過它的體二極管,在體二極管上產(chǎn)生一個負的Vds。因為這個體二極管的電壓降比控制電路(-200mV)的打開閾值要小得多,而控制電路(-200mV)隨后會打開N-MOS。 當Vds升高觸發(fā)關斷閾值(-20mV)時,控制電路將N-MOS門電壓在延時約30nS后拉低,同步N-MOS關斷后加1.7uS消隱時間,避免因振鈴引起誤觸發(fā)。同步整流icU7710SG控制電路包含消隱功能。當關斷MOSFET時,確保關斷狀態(tài)至少持續(xù)約1.7us左右。

消費市場是未來幾年同步整流器市場的主要增量來源。深圳銀聯(lián)寶科技已早早與客戶建立戰(zhàn)略合作關系,配合客戶需求給出定制化同步整流ic解決方案,積極融合,不斷提升產(chǎn)品性能及競爭力,期待建立更多合作關系!

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