U6203D內(nèi)置MOS電源管理芯片是一款高性能的副邊反饋控制器。U6203D工作在副邊檢測(cè)和調(diào)整模式，可省略系統(tǒng)的光耦和TL431。U6203D內(nèi)置MOS電源管理芯片擁有恒壓恒流控制環(huán)路，可以實(shí)現(xiàn)高精度的恒壓、恒流輸出，以滿足大部分充電器和適配器需求。銀聯(lián)寶電子12V開(kāi)關(guān)控制芯片U6203D內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路和極低的芯片功耗使得系統(tǒng)能夠滿足較高的待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)。
12V1A副邊反饋內(nèi)置MOS電源管理芯片U6203D方案特點(diǎn)：
1.CC 工作模式：在CC工作狀態(tài)，高效率電源管理芯片U6203D采樣FB引腳的信號(hào)（由輔助繞組信號(hào)通過(guò)電阻分壓），輔助繞組信號(hào)脈寬決定振蕩頻率。輸出電壓越高，脈寬越小，同時(shí)振蕩頻率越高，這樣可獲得恒定的輸出電流。
2.保護(hù)控制：U6203D內(nèi)置MOS電源管理芯片含有豐富的保護(hù)功能，包括：逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、輸出短路保護(hù)、CS電阻開(kāi)/短路保護(hù)、VDD欠壓鎖定保護(hù)功能，并且這些保護(hù)具有自恢復(fù)模式。
3.CV 工作模式：在CV工作狀態(tài)，高效率電源管理芯片U6203D使用脈沖采樣VFB電壓，并保持到下個(gè)采樣點(diǎn)。將采樣的電壓和VREF_CV基準(zhǔn)比較，并放大誤差。這個(gè)誤差值代表負(fù)載情況，通過(guò)控制開(kāi)關(guān)信號(hào)，調(diào)節(jié)輸出電壓，使得輸出恒定。
4.高壓?jiǎn)?dòng)控制：U6203D內(nèi)置MOS電源管理芯片在啟動(dòng)階段，采用高壓?jiǎn)?dòng)技術(shù)，芯片啟動(dòng)前2.0mA電流源為內(nèi)部偏置電路供電并給外部VDD電容充電，快速啟動(dòng)。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDon，芯片開(kāi)始工作的同時(shí)高壓?jiǎn)?dòng)電路關(guān)斷；只要VDD電壓不低于VDDoff，芯片維持正常工作。啟動(dòng)后，偏置電路通過(guò)輔助源供電，同時(shí)啟動(dòng)電路只有一路極小的電流，實(shí)現(xiàn)低損耗。