超結(jié)硅功率MOS在開關(guān)電源芯片U8623中對降低EMI（電磁干擾）干擾、增強EMS（電磁抗擾度）抗干擾能力起到了重要作用。在開關(guān)電源工作時，超結(jié)硅功率MOS的快速開關(guān)特性，配合U8623內(nèi)置的抖頻技術(shù)，優(yōu)化了EMI性能。其能夠?qū)㈦姶鸥蓴_的能量分散到更寬的頻帶上，從而降低了在特定頻率上的干擾強度，減少了對周邊電子設(shè)備的影響。例如，在手機充電器中，如果EMI干擾過大，可能會對手機的信號接收、通話質(zhì)量等產(chǎn)生不良影響。而采用了該超結(jié)硅功率MOS的U8623，能有效降低這種干擾，確保充電器在為手機充電時，不會對手機的正常使用造成干擾。
開關(guān)電源芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS。U8623具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點。U8623在一定條件下適用于輸入電壓AC90V-264V的輸出功率為22.5 W以內(nèi)的離線式反激開關(guān)變換器，滿足VI級能效標準。U8623采用SOP-8并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果。
開關(guān)電源芯片U8623腳位名稱：
1 GND 芯片內(nèi)部電路電位基準引腳
2 VCC 芯片內(nèi)部電路供電引腳
3 FB 輸出反饋輸腳，芯片 PWM 輸出的頻率和占空比由FB 和CS 控制
4 CS 電感峰值電流采樣輸入引腳
5、6、7、8 PD 內(nèi)置高壓功率 MOS 的漏極
開關(guān)電源芯片U8623主要特點：
■固定 65K 赫茲的開關(guān)頻率
■內(nèi)置抖頻技術(shù)優(yōu)化EMI
■根據(jù)負載大小自適應(yīng)多種工作模式包括打嗝模式、綠色節(jié)能模式和定頻PWM工作模式
■內(nèi)置斜率補償?shù)姆逯惦娏骺刂品绞?/span>
■內(nèi)置過流點補償優(yōu)化寬輸入電壓范圍內(nèi)最大輸出功率的一致性
■內(nèi)置前沿消隱技術(shù)
■低空載待機功耗（<65mW@AC230V）
■支持恒壓、恒功率、恒溫輸出
■內(nèi)置軟啟動技術(shù)
■內(nèi)置集成多種自保護功能，包括VCC欠壓保護功能（UVLO）、VCC過壓保護功能（OVP）、逐周期限流功能（OCP）、恒溫輸出功能（OTP-L）、CS引腳開路保護功能
同時，開關(guān)電源芯片U8623從提高電源轉(zhuǎn)換效率到增強系統(tǒng)穩(wěn)定性，從適配多種工作模式到滿足不同應(yīng)用場景的嚴苛需求，都表現(xiàn)出色。應(yīng)用廣泛，性能高效，成本可控！