目前市面上具備的快充技術(shù)看似分門別類，擁有很多派別，但其實(shí)歸根結(jié)底就是增大電壓和電流這兩種方式。但是比較通用的快充方案就是高電壓低電流、低電壓高電流這樣的分類，不管是高電壓還是大電流，終都是依靠提率快充電源開關(guān)芯片來提升充電的速度，下面我們就針對這兩種主要的方式簡單的為大家進(jìn)行羅列。
高通Quick Charge就是高電壓低電流的獨(dú)立方案，目前率快充芯片技術(shù)已經(jīng)不知不覺來到了Quick Charge 4第四代，從初的QC 1.0僅僅支持高5V/2A的充電功率，到QC 2.0可以兼容5V/9V/12V/20V四檔充電電壓，并且達(dá)到大3A的充電電流水準(zhǔn)。而Quick Charge 3.0則是在QC 2.0的基礎(chǔ)上進(jìn)行的改進(jìn)，以200mV增量為一檔，支持3.6V到20V的工作電壓動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。這樣一來，手機(jī)廠商就能夠根據(jù)自家產(chǎn)品的需求調(diào)整到佳電壓，從而達(dá)到預(yù)期的電流，提升手機(jī)的充電效率。接下來給大家介紹一款當(dāng)前常見的率快充電源開關(guān)芯片U6605D。
U6605D快充電源開關(guān)芯片結(jié)合了一個(gè)專用的電流模式PWM帶4A/630V MOSFEET的模式控制器。U6605D快充電源開關(guān)芯片、低待機(jī)功率低功耗、低電磁兼容性和低成本。適用于12W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。U6605D快充電源開關(guān)芯片集成有多種保護(hù)功能：VDD 欠壓保護(hù) (UVLO)、VDD 過壓保護(hù) (OVP)、逐周期限流保護(hù) (OCP)、短路保護(hù) (SLP) 和 VDD箝位等。U6605D快充電源開關(guān)芯片輸出規(guī)格為5、9、12-18W，應(yīng)用于PD/QC市場，VDD-40V max18W。
U6605D快充電源開關(guān)芯片主要特點(diǎn)：
集成 650V MOSFET
±4% 恒流、恒壓精度
待機(jī)功耗<70mW
多模式原邊控制方式
工作無異音
優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響應(yīng)
可調(diào)式線損補(bǔ)償
集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償
集成完善的保護(hù)功能
據(jù)悉，升級版的QC 4.0通過Qualcomm Technologies的平行充電技術(shù)Dual Charge，與前代QC 3.0相比，可以增加到高達(dá)20%的充電速度提升。除了提升充電速度之外，QC 4.0還實(shí)現(xiàn)了更短的充電時(shí)間和更高的效率，能在更準(zhǔn)確地測量電壓、電流和溫度的同時(shí)，保護(hù)電池、系統(tǒng)、線纜和連接器。一方面提升充電速度，一方面保護(hù)了電池、充電器等設(shè)備。