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集成E-GaN的QR模式PSR反激功率開關電源芯片U8608

2024-06-05 14:23:36 

開關電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路,驅動電壓為VDRV (典型值 6.25V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點,為此U8608通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。如下圖所示,通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅動電流,進而調節(jié)GaNFET的開通速度,系統(tǒng)設計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。

860X

在滿載和重載工況下,系統(tǒng)工作在QR工作模式,可以大幅降低系統(tǒng)的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節(jié)谷底個數,同時為了避免系統(tǒng)在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數跳變,產生噪音,開關電源芯片U8608采用了谷底鎖定工作模式,在負載一定的情況下,導通谷底數穩(wěn)定,系統(tǒng)無噪音。

一旦檢測到故障,包含VDD過壓保護、過溫保護、輸入過欠壓保護、輸出過壓保護、異常過流保護等,開關電源芯片U8608立即停止開關動作并進入計時狀態(tài),同時VDD電壓被高壓供電電路鉗位到VVDD_REG_ST (典型值 12V),經過TRECOVERY (典型值 1.3s) 時間后如果故障仍然存在,那么系統(tǒng)將繼續(xù)重復一個計時動作,如果故障狀態(tài)消失,系統(tǒng)將重新啟動。

開關電源芯片U8608系列還集成輕載SR應力優(yōu)化功能,在驅動電流配置為第一、第二、第四檔位時,當芯片工作于輕載模式時,將原邊開通速度減半,減小空載時SRVds應力過沖。U8608采用峰值電流控制模式,可以自適應的工作在QR和降頻工作模式,從而實現全負載功率范圍內的效率優(yōu)化。

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