從功率的角度來講，無論是毫瓦級(jí)可穿戴設(shè)備，還是收集方案，亦或是千瓦級(jí)電源，它們追求的一個(gè)共同目標(biāo)都是提高能效。多年來，消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)人員一直致力于研發(fā)在額定功率輸出及待機(jī)狀態(tài)下均能很大限度地減少功耗的電源方案。
業(yè)界相關(guān)管理規(guī)定，包括歐盟外接電源能效標(biāo)準(zhǔn)（CoC）第五版及美國能源部制定的第六級(jí)能效要求，均針對(duì)數(shù)百萬種非頻繁插拔的插拔式電源設(shè)定了高‘待機(jī)功耗’標(biāo)準(zhǔn)。為助力設(shè)計(jì)人員簡化設(shè)計(jì)流程，本文小編特此為大家推薦一款低功耗的電源方案TB6818。
低功耗的電源方案TB6818通過封裝（SOP-8）隔離，性更高采用變壓器原邊采樣和控制技術(shù)，是一款多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器。多限度地減少了系統(tǒng)元件的數(shù)目，用頻率調(diào)制方法來提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實(shí)現(xiàn)輕載無異音。內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償，可以省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容，還內(nèi)置線纜壓降補(bǔ)償，由此取得良好的負(fù)載調(diào)整率。
低功耗的電源方案TB6818內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET，該芯片的電路簡單，外形體積小。該芯片工作電壓是11V~27V；工作溫度是零下40℃~85℃：工作頻率是35Kz~70Kz。封裝：SOP-8
低功耗的電源方案TB6818在恒流模式下，輸出功率可由CS腳外接的取樣電阻RS定；在恒壓模式下，芯片的多種模式可以保證較高的整體轉(zhuǎn)換效率。而芯片TB6818在恒流模式下工作于PFM狀態(tài)，在恒壓模式下工作于PWM狀態(tài)，輕載時(shí)降頻工作。此外，該芯片內(nèi)置有線壓降補(bǔ)償，由此取得良好的負(fù)載調(diào)整率。
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