1.效率滿足六級能效要求
2.內(nèi)置700V 功率三極管
3.QR-PSR控制提高工作效率
4.±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
5.封裝是SOP-7
可使用的磁芯：ER9.5,ER11.5,EE8.3,EE10,EE13,RM4,GU11,EP7,EP10,UI9.8,URS7
5-10W電源芯片U6315的特點(diǎn)：
1.QR-PSR控制提高工作效率。
2.±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
3.系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
4.原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
5.封裝是SOP-7
可使用的磁芯：ER20,EE19,RM5,GU14,EFD15,EI22,EPC13,EF16,EP13,UI11.5
10-20W電源芯片U6217S的特點(diǎn)：
1.原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
2.內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償，省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容
3.提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實(shí)現(xiàn)輕載無異音
4.多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
5.封裝是SOP-8
可使用的磁芯：ER25,EE20,EE25,RM6,GU18,EPC17,EF20
20-50W電源芯片U6201的特點(diǎn)：
1.恒流控制支持CCM和DCM模式
2.自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
3.±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
4.副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機(jī)功耗小于75Mw
5.封裝是SOT23-6
可使用的磁芯：ER28,ETD28,EI28,EE28,EE30,EF25,RM8,GU22,PQ20,EPC19,EFD20
50-100W電源芯片U6101的特點(diǎn)：
1.頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
2.副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
3.管腳浮空保護(hù)
4.內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
5.封裝是SOP-8和DIP-8
可使用的磁芯：ER35,ETD34,EE35,EI35,EF30,RM10,GU30,PQ26,EPC25,EFD25
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