U7116同步整流芯片極簡(jiǎn)的外圍和貼片封裝特別適合高功率密度應(yīng)用，如手機(jī)快速充電器，適配器，小體積電源等，是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開(kāi)關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
U7116同步整流芯片內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。U7116的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通。
PCB設(shè)計(jì)對(duì)同步整流的性能會(huì)產(chǎn)生顯著影響，設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考詳細(xì)規(guī)格書(shū)的布局設(shè)計(jì)，包含U7116同步整流芯片、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。
1.副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。
2.VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。
3.HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測(cè)點(diǎn)位置對(duì)CCM應(yīng)力有影響，HV檢測(cè)點(diǎn)離Drain引腳越遠(yuǎn)，CCM應(yīng)力越小。High Side 配置中，建議HV通過(guò)R2電阻連接到輸出電容的正端。
4.R1和C1構(gòu)成同步整流開(kāi)關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。
5.Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。
6.SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應(yīng)與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。
U7116同步整流芯片采用SOP-8封裝。在輸出電壓3~21V時(shí)，推薦輸出電流≤3A，具體腳位如下：
1 HV I 漏極檢測(cè)引腳。HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。
2 VDD P IC 供電引腳，VDD到GND建議放置一個(gè)1μF的貼片陶瓷電容。
3, 4 GND G IC 參考地。
5,6,7,8 Drain P 內(nèi)置功率MOSFET漏極。
由于不同的應(yīng)用場(chǎng)景和設(shè)備對(duì)功率級(jí)別和性能特征有著不同的要求，深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)了多款同步整流芯片及主控芯片，多樣性能夠充分滿足各種應(yīng)用需求。保障客戶在項(xiàng)目一開(kāi)始就能選擇適合的芯片，而無(wú)需從頭開(kāi)始設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)不同的整流電路，從而降低了設(shè)計(jì)時(shí)間和開(kāi)發(fā)成本！